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IXTH 50N30
IXTT 50N30
100
Fig. 7. Input Admittance
75
Fig. 8. Transconductance
T J = -40oC
80
60
60
45
25oC
125oC
40
20
0
T J = -40oC
25oC
125oC
30
15
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
0
20
40
60
80
100
120
140
150
V GS - Volts
Fig. 9. Source Current vs. Source-To-Drain
Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
V DS = 150V
125
100
8
6
I D = 25A
I G = 10mA
75
4
50
T J = 125oC
25
0
T J = 25oC
2
0
0.4
0.55
0.7
0.85
1
1.15
1.3
0
25
50
75
100
125
150
175
V SD - Volts
Q G - nanoCoulombs
10000
Fig. 11. Capacitance
1
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Resistance
f = 1M Hz
C iss
1000
100
C oss
C rss
0.1
0.01
0
5
10
15 20 25
V DS - Volts
30
35
40
1
10 100
Pulse Width - milliseconds
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
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